01Crystal Growth Equipment
晶体生长装备系统
围绕12英寸CZ晶体生长装备方向，结合韩国历史工程资料，开展整机技术评估、本地化适配与项目合作沟通。
- CZ长晶炉（CZ Crystal Grower）
- 300mm / 12英寸单晶硅长晶炉方向
- 整机工程与技术评估
- 中国本地化
- 研发与验证
客户常见问题：设备目标、验证范围与本地实施条件需要共同定义。
产业方向 / 第三阶段 · 半导体与先进装备
从一台长晶炉，到一套先进装备系统
Semiconductor & Advanced Equipment
依托韩国精密装备与晶体生长相关工程积累，围绕12英寸CZ单晶硅长晶炉方向，推进装备技术评估、工程适配、研发验证、本地化及联合开发。
按项目推进规划 / Planned
01我们做什么
具体做什么
以12英寸CZ长晶炉为入口，我们关注的不是一台孤立设备，而是整机、系统、工程接口以及后续研发验证的完整逻辑：先评估技术目标，再适配机构、环境与控制接口，最终按阶段推进验证与合作。
为什么进入长晶炉与晶圆方向
韩国体系在精密装备与晶体生长领域长期积累了整机装配、机构与现场工程经验；中国具备广阔的材料与半导体应用需求。两者衔接，使先进装备成为JINZ在显示制造与智能制造之后的长期技术方向。
02System Capabilities
四类系统能力
以长晶炉整机为核心，把精密机构、工艺环境与控制监测作为一个整体来理解和适配。
02Precision Mechanical & Motion Systems
精密机构与运动系统
围绕提拉、坩埚升降旋转及腔体动作，组织精密机构与整机接口的工程适配讨论。
- 籽晶提拉相关机构（Seed）
- 坩埚升降与旋转（Crucible Lift & Rotation）
- 腔体动作与闸阀接口（Gate Valve）
- 升降 / 旋转 / 定位的精密运动
客户常见问题：机构动作、空间布置与维护接口需要在整机层面协调。
03Process Environment & Utilities
工艺环境与公用工程系统
围绕真空、氩气、冷却和热环境，梳理先进装备运行条件与现场公用工程接口。
- 真空与腔体环境（Vacuum / Chamber）
- 氩气与气氛（Argon / Gas）
- 冷却与热环境（Cooling / Thermal）
- 设备公用工程接口（Utility）
客户常见问题：设备环境需求与现场水、气、电条件及责任分工需要匹配。
04Control & Monitoring
控制与监测系统
围绕设备运行、CCD观测和状态监测，明确控制接口与验证要求，支持系统层面的工程沟通。
- 设备运行与运动控制接口
- CCD / 视觉观测
- 运行与状态监测
- 工艺观察与反馈接口
客户常见问题：控制对象、监测信号和验证标准需要事先明确。
03Advanced Equipment R&D & Validation Platform
先进装备研发与验证平台
在韩国既有工程积累的基础上，分阶段建设中国侧研发与验证能力。
已有基础 · Existing
- 韩国体系长期积累的精密装备与长晶炉相关工程经验
- 韩国技术主体持有的相关专利与技术资产
- 长晶炉整机装配、腔体接口与现场操作工程资料
规划建设 · Planned / Under Development
- 中国侧研究院与研发平台
- 本地化验证平台
- 中试能力建设
装备研发 · Equipment R&D工程适配 · Engineering Adaptation晶体生长研究 · Crystal Growth Research工艺验证 · Process Validation样品评价 · Sample Evaluation中试验证 · Pilot Verification本地化开发 · Localization Development联合开发 · Joint Development
04From Crystal Ingot Research to Wafer Validation
从晶棒研究，到晶圆验证
- 01
12英寸CZ长晶炉
先进装备入口，提供晶体生长的设备与工程基础。
- 02
单晶硅晶棒研究
围绕晶体生长条件开展晶棒相关研究方向。
- 03
晶圆片研发与样品评价
开展晶圆片相关研发与样品评价。
- 04
工艺验证
对关键工艺与品质测试进行阶段性验证。
- 05
中试验证
在研发成果基础上推进中试规模验证。
- 06
客户验证
与客户共同完成样品与工艺的导入验证。
长晶炉决定晶棒的生长条件，晶棒品质决定后续晶圆的研发与评价基础。JINZ以12英寸CZ长晶炉为入口，按阶段推进晶棒研究、晶圆样品评价与工艺验证，并为后续客户导入做准备。
05Pilot & Validation Roadmap
从研发走向产业化的验证路径
中试是连接研发与产业化的重要验证阶段。
- 01
韩国工程与技术积累
Korean Engineering & Technology
已有基础 - 02
中国项目导入
China Project Introduction
推进中 - 03
工程适配
Engineering Adaptation
规划 / Planned - 04
本地化
Localization
规划 / Planned - 05
研发验证
R&D & Validation
建设中 / Under Development - 06
中试
Pilot
规划 / Planned - 07
客户验证
Customer Qualification
规划 / Planned - 08
条件成熟后的产业化
Industrialization
战略方向 / Strategic Development
06Technology & IP · Korean Engineering & Technology Heritage
技术与知识产权
依托韩国长期精密装备工程积累、研发背景及相关专利技术资产，为先进装备研发、本地化、验证与联合开发提供技术基础。以下专利的权利人按证书原文列示。
有效专利
单晶晶锭生长装置的弹起式阀门装置（暂译）
- 专利号
- 10-2276236
- 技术领域
- 晶体生长装备 · 阀门机构
- 权利人
- 주식회사 오에스티투（OST2）
有效专利
单晶晶锭生长装置坩埚升降机构波纹管冷却装置（暂译）
- 专利号
- 10-2337064
- 技术领域
- 精密机构与运动 · 坩埚升降
- 权利人
- 주식회사 오에스티투（OST2）
有效专利
晶锭生长设备金属过滤器用自动清洗装置及清洗方法（暂译）
- 专利号
- 10-2378531
- 技术领域
- 工艺环境与公用工程 · 过滤清洗
- 权利人
- 주식회사 오에스티투（OST2）
有效专利
高电阻率晶圆制造方法（暂译）
- 专利号
- 10-2429972
- 技术领域
- 晶圆研发 · 制造方法
- 权利人
- 주식회사 오에스티투（OST2）
有效专利
单晶晶锭生长装置坩埚升降机构波纹管冷却装置（暂译）
- 专利号
- 10-2429973
- 技术领域
- 精密机构与运动 · 坩埚升降
- 权利人
- 주식회사 오에스티투（OST2）
07韩国资源与中国角色
韩国工程资源能提供什么
长晶炉整机装配与工程现场经验、精密机构与腔体接口的工程资料、设备运行与操作实践，以及按项目匹配的技术人员与技术主体。
JINZ在中国负责什么
技术目标梳理与需求对接、本地化与现场公用工程条件评估、中国供应链与合作方协调、研发验证规划与项目里程碑管理。
技术可信度 · Korean Engineering & Technology Heritage
相关技术与专利来自韩国体系的长期工程积累，按原权利主体说明；合作中涉及的技术许可与成果归属，按项目单独约定。